IBM es el primero en fabricar un chip funcional de 7nm

6:37:55 p.m.

El gigante IBM junto con otras compañías de rubro, han conseguido un hito histórico en la industria de los semiconductores, esto al lograr fabricar el primer chip funcional con tecnología de 7nm. IBM es un gigante en el área de semiconductores y este logro significa un paso importante para el futuro de las tecnologías de cómputo.

En efecto, IBM junto con GlobalFoundries, Samsung y la Universidad de Nueva York, han fabricado el primer chip funcional con tecnología de transistores de 7nm (nanómetros) y aunque el logro por ahora es solo con fines experimentales, esto no le quita en lo absoluto méritos a la hazaña tecnológica, pues es un parámetro indicativo de lo que se puede lograr actualmente, para proyectarlo a futuro como una tecnología que pueda estar a disposición de los usuarios de manera comercial en productos tecnológicos.

Cabe recordar que actualmente Intel lidera el mercado de CPUs con sus chips de 14nm y para los próximos años tiene programado hacer el paso a los 10nm, aunque IBM ha demostrado que la ley de Moore aún se puede exprimir y lograr tal miniaturización microscópica de los transistores. Aunque de momento sea solo con un chip experimental, esto no le quita méritos como ya mencionamos a este logro, recuerden que varios analistas ya veían difícil que la Ley de Moore se siguiera aplicando tras la producción de chips de 14nm.

El chip de 7nm es producto de una inversión de $ 3.000 millones de dólares, y un periodo de 5 años en investigación y desarrollo (R&D). Cuenta con transistores FinFET, pero no como los actuales transistores FinFET a base solo de silicio, ya que en su lugar utiliza una aleación de silicio y germanio (SiGe), logrando un nivel de precisión tan alta que se requirió utilizar litografía de luz ultravioleta extrema (EUV) de nueva generación, para lograr una geometría de precisión microscópica de tal nivel al grabar los patronos en el chip.

Según los datos, el silicio-germanio permite un mayor flujo de electrones a nivel de transistores, sobre todo en transistores muy pequeños (bajo los 10nm), es decir, el espacio entre dos transistores o núcleos de silicio, llamado también “gate” es tan pequeño que los átomos de silicio no pueden transportar al suficiente carga eléctrica entre dicho espacio, provocándose las famosas fugas (leaks), pero añadiendo germanio al canal, la movilidad de los electrones se ve incrementada.

Actualmente la industria de los semiconductores tiene un tremendo desafío en nodos de fabricación menores a 10nm, donde el silicio es la limitante, es por eso que la industria experimenta con otras aleaciones como silicio-germanio o también como hemos visto en otras notas con el grafeno, o nanotubos de carbono con los que la propia IBM en el 2012 ya había logrado fabricar un chip bajo los 10nm, específicamente uno de 9nm.

Según IBM, espera tener en el mercado o a disposición de la industria, tecnología de 7nm a contar del 2017-2018, y los chips con esta tecnología podrán albergar nada menos que 20.000 millones de transistores, con una reducción de área y consumo del 50% comparado con los chips actuales, una cifra que actualmente ni las GPUs más avanzadas del mercado pueden lograr, mucho menos los CPUs. Para ser más específicos, los recientes Broadwell-U de Intel fabricados a 14nm, llegan solamente a los 1.900 millones de transistores y la GPU Fiji de AMD (28nm) logra 8.900 millones de transistores.

(Fuente: madboxpc)